三星宣布3nm制程芯片成功流片，强过台机电

2021-06-30 责任编辑：未填 浏览数：201 智能中国网

核心提示：目前，从事先进制造工艺的晶圆厂商并不多，基本上是太极电器、三星和英特尔。英特尔没有参与晶圆替代。最常见的是三星和台积电。目前两家公司都已完成5nm工艺的大规模生产，下一步是4nm或3nm的制造工艺，今天三星已经表示，基于3nm工艺的芯片将在明年或明年正式量产。三星今天表示，经过验证和改进，基于3nm工艺的芯片已在

 目前，从事先进制造工艺的晶圆厂商并不多，基本上是太极电器、三星和英特尔。英特尔没有参与晶圆替代。最常见的是三星和台积电。目前两家公司都已完成5nm工艺的大规模生产，下一步是4nm或3nm的制造工艺，今天三星已经表示，基于3nm工艺的芯片将在明年或明年正式量产。

三星今天表示，经过验证和改进，基于3nm工艺的芯片已在不久的将来成功上市。下一步，它正在为批量生产3nm晶圆做准备。与老对手相比，三星的3nm工艺似乎有些晚，但两种工艺有所不同。台积电采用成熟的FinFET工艺，而三星采用的是下一代GAA工艺，三星还表示，与台积电的3nm工艺相比，三星的GAA工艺可以实现更好的电性能，从而使芯片性能更加突出。

 

三星表示，与目前的5nm工艺相比，晶圆的面积效率提高了35%，性能也提高了30%，而功耗则降低了50%。考虑到高性能计算的需求，预计移动芯片仍将采用新的3nm工艺。然而，近段时间来，虽然三星的纸张性能工艺相当不错，但芯片的使用体验却并不尽如人意。例如高通公司的小龙888处理器和英伟达的GPU都遭遇了高烧和功耗爆炸。3nm工艺的正式量产还有很长的路要走，三星能否充分优化3nm工艺尚不得而知。

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