6月29日,有报道称,韩国内存巨头SK Hynix将投资8000亿韩元(约合45亿元人民币)购买包括EUV在内的生产设备,用于今年2月完工的M16晶圆新工厂。该工厂预计到今年年底,每月生产1.8万片12英寸晶圆。
在此之前,三星和美光都发布了扩大相关芯片生产的计划。
同样在中国,也有以长江仓储、合肥长信和福建金华为首的国内仓储营地。根据世界半导体贸易统计组织的数据,中国存储芯片市场规模已从2015年的45.2亿美元增长到2020年的183.6亿美元,据业内预测,到2024年,国内存储芯片市场规模有望超过500亿美元。
内存芯片价格两个月内上涨20%
炒作内存模块一直被业内称为“钱比炒作多的生意”
随着智能手机、服务器等终端需求的激增,DRAM(主要包括PC内存、移动内存和服务器内存)的价格一路飙升。分析人士指出,DRAM Q2报价已进入全年最高点,4月至6月累计上涨20%-25%。
全球市场研究机构Trendforce consulting表示,受今年上半年终端买家积极备货的推动,原有的记忆库存较低。目前DRAM原厂平均库存仅为3-4周,NAND闪存供应商平均库存为4-5周。内存供应紧张,DRAM今年上半年增长了20%。该机构估计,第三季度DRAM整体价格将继续上涨3-8%左右,由于企业SSD和晶圆需求的上升,NAND闪存价格将从3-8%上涨至5-10%。
“目前仍处于涨价阶段”,趋势力吉邦咨询分析师吴亚婷在接受中国第一财经记者采访时表示,受流程转换困难导致供给减少等因素影响,供给位增速低于需求位增速,这使得DRAM市场供应紧张,今年价格持续上涨。
吴亚婷告诉记者,目前DRAM市场仍以三星、SK海力士和美光为主,呈现“寡头垄断”的市场格局。
由此可见,存储产业一直是韩国半导体产业的重要组成部分。今年年初,韩国政府宣布了成为半导体强国的十年规划目标。会议提到,到2030年,以三星和海力士为首的153家公司将在半导体研发和生产方面投资超过4500亿美元。海力士对EUV光刻技术的投资也被认为是存储器芯片扩展计划中的重要一步。
另外,过去EUV光刻胶设备主要用于逻辑芯片的OEM。然而,三星在2020年将EUV光刻胶导入第一代10纳米(1x)DRAM存储芯片的量产中,标志着DRAM存储芯片进入了EUV时代。此外,三星还计划在2021年量产基于第四代10nm(1a)EUV工艺的16GB ddr5/lpddr5。
巨人的持续投资也在推动市场的整体增长。据世界半导体贸易统计组织预测,2021年全球半导体产值将达到5272亿美元(约合人民币33700亿元),同比增长19.7%,其中存储芯片产值将以31.7%的增速位居第一。
国内企业迎头赶上
在中国大力支持半导体产业发展的背景下,2016年中国半导体存储器基地建设启动,中国存储器芯片也迎来了大发展。
虽然要实现“自主研发技术”、“稳定量产规模”的目标还需要时间,但国内企业已经形成了以长江仓储、合肥长信、力孚健金华为主的国内仓储阵营。
6月28日,何飞昌欣二期12寸厂房举行奠基仪式。据介绍,新工厂是未来进入1y nm以下工艺节点(接近15nm工艺)的前期准备。但这位官员没有证实这一消息。
然而,我们可以看到,在过去的几年里,合肥长信正在寻找DRAM存储核心的技术突破。